Меню сайта

Категории раздела
Последние события [56]
Новости компаний [9]

Наш опрос
Оцените мой сайт
Всего ответов: 55

Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

Форма входа

Главная



Вы вошли как Гость | Группа "Гости" |

Пятница, 22.09.2017, 23:32

Главная » 2009 » Октябрь » 6 » Silicon Power начинает выпуск DDR3-1333/1066 в двойной упаковке
20:39
Silicon Power начинает выпуск DDR3-1333/1066 в двойной упаковке

Москва

Silicon Power начинает выпуск DDR3-1333/1066
в двойной упаковке

Вы недавно обновили вашу систему покупкой платформы Intel Core I 7 или AMD AM3 и думаете, какой модуль памяти станет лучшим сочетанием для вашей системы? Ответ очевиден - двойной модуль памяти DDR3-1333/1066 от Silicon Power. Этот продукт поддерживает не только платформу Intel / AMD, но и успешно работает с технологией Core i7 Quick Path Interconnect (QPI) от Intel с пропускной способностью до 6.4GB/сек.
Silicon Power DDR3-1333 /1066 прекрасно совместим со стандартом JEDEC DDR3. Использование новой технологии производства данного решения позволило увеличить скорость обмена данными с контроллером. Технология On-DIE Termination (ODT) значительно сокращает количество отказов при работе и увеличивает скорость работы устройства. Следуя своей принципиальной позиции, Silicon Power и в этот раз при производстве использует только оригинальные чипы и технологию FBGA для улучшения теплообмена. 100% тестирование продукта перед отправкой гарантирует стабильную, надежную работу и отличную совместимость.
Silicon Power DDR3-1333/1066 доступен в упаковках в 4GB (2GB x 2) и 2GB (1GB x 2). Модули памяти соответствуют стандарту RoHS и имеют пожизненную гарантию.

Описание:

- Новое поколение модулей памяти, имеют на 20 % меньше выделение тепла
- Используются только оригинальные 128Mx8 чипы
- Использована технология производства «Fly-by circuit», позволяющая ускорить работу с контроллером
- Технология On-DIE Termination (ODT) значительно сокращает количество отказов при работе
- Стабильная, надежная работа и отличная совместимость

Технические характеристики:

- Тип памяти: DDR3 Memory
- Pin памяти: 240Pin Long-DIMM
- Рабочая частота: DDR3-1333MHz / DDR3-1066MHz
- Рабочий mode: Unbuffer Non-ECC память
- Емкость: 4GB(2GB*2) / 2GB(1GB*2)
- Модуль: 128Mx8 (bit) (одиночный модуль)
- Рабочее напряжение: 1.5 V
- Задержка ответа: 9 (1333MHz) / 7 (1066MHz)
- Пожизненная гарантия

Источник: http://www.silicon-power.com/?currlang=koi8r

Категория: Новости компаний | Просмотров: 293 | Добавил: ersergei | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Поиск

Календарь
«  Октябрь 2009  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031

Архив записей

Copyright MyCorp © 2017 Бесплатный конструктор сайтов - uCoz